电学性能 electronic characters

导电类型（type）

P型 (B dopant)

电阻率（resistivity）（Ω·cm）

1.0～3.0

硅锭的少子寿命(minimum lifetime of bricks)（μs）

≥5（average）

氧含量(oxygen)（ppma）

≤10

碳含量(carbon)（ppma）

≤16

晶体结构 crystal structure

微晶(micro-grains)

无（no）

表面质量 appearance

硅落、缺口、裂纹、沾污、针孔（chips,V-shape, crack, stain, pinhole）

无（Not allow）

崩边(edge chips)（mm）

L≤ 0.5,W≤ 0.3,no more than 2/wafer

线痕（μm） (saw marks)

≤15

弯曲度/翘曲度(bow/warp)（μm ）

≤50

尺寸 dimension

边长(side length)（mm）

156.75±0.25

厚度(center thickness) （μm）

200

180

TV（μm）

200

±20

180

±15

TTV（μm）

200

≤30

180

≤25

垂直度（verticality ）

90 o±0.3o

包装与储运 package and carriage

包装(package)

1盒400片；1箱1600片；1托48000片。

400pcs/box，1600pcs/case，48Kpcs/pallet

储存（Storage）

温度（temperature.）：10℃～40℃

湿度（humidity）：≤70%

A（Length）

B（Diagonal length）

C（Bevel edge width）

Max.

Min.

Max.

Min.

Max.

Min.

156.75P

157

156.5

221.5

219.3

2

0.5

注：1.硅片的规格与电池片规格相对应；

2.A、B、C分别参见图1。

Notice: 1.The dimension of wafer is related to the cell

2.A、B、C refer to Fig. 1

图1 多晶硅片尺寸示意图

Fig1 Sketch map of multi-Si wafer