JQ-900型区熔单晶生长炉是集机、光、电一体化的大型高可靠性、高精度、高自动化的单晶生长设备,整机性能指标达到同类产品国际**。主要生产6-8英寸大规格区熔单晶硅,单晶长度**可达2500mm, 单晶纯度可达99.99999999%,,其晶片主要用于IGBT芯片、可控硅、红外探测器以及航天航海等尖端科技领域,另外凭其23%的光电转换效率,我们还可以大胆偿试将其用在光伏发电领域。
1. |
主炉室 |
内炉堂直径[mm] |
Φ902X1190高 |
2 |
上副室 |
炉膛直径[mm] |
Φ500 X1800高 |
3 |
下副室 |
炉膛直径[mm] |
Φ500 X2500高 |
4 |
上传动 |
行程[mm] |
2000 |
主轴转速[rpm] |
0-30±1% |
||
主轴直径[mm] |
100 |
||
5 |
下传动 |
主轴行程[mm] |
2600 |
主轴转速[rpm] |
0-30±1% |
||
主轴直径[mm] |
100 |
||
内轴行程[mm] |
340 |
||
6 |
平动组件 |
行程[mm] |
±25 |
7 |
槽路组件 |
行程[mm] |
530 |
8 |
反射环 |
行程[mm] |
50 |
快速移动速度[mm/min] |
20 |
||
9 |
预热环组件 |
行程[mm] |
285 |
快速移动速度[mm/min] |
100 |
||
10 |
制备外形 |
长X宽X高[mm] |
6600X4200X14000 |
11 |
真空系统 |
真空度(mbar) |
≤0.01 |
12 |
气路系统 |
进气压力[Ba] |
5-12(推荐10) |
生长气流量[L/min] |
50 |
||
气体质量 |
C57-0305,等级4.8 |
||
13 |
冷却系统 |
进水压力[Ba] |
4-6 |
进水温度[°C] |
12-25 |
||
进水流量[L/min] |
200 |
||
物理清洁度[mm] |
0.38 |
||
14 |
电器 |
电源频率[Hz] |
50或60 |
电压[VAc] |
3X380 |
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发生器输出功率(kW) |
120KW |
||
控制电源(Hz) |
50或60 |
||
电压[VAc] |
3X380 |
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功率 |
10KW |
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进电电源整流滤波 |
有 |
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控制系统 |
西门子S7-300 |
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人机界面控制 |
Pro-face触摸屏 |
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CCD监控系统 |
基恩士 |
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上下传动移动驱动 |
Lenze驱动 |
北京京运通科技股份有限公司
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