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| 货号 | CAS号 | 编号 | 包装 | 参数 |
| 101033 | 1317-33-5 | XFG15 | 1 盒 | 基底尺寸: 10 mmx10 mm |
产品名称中文名称: 机械剥离二氧化硅基底单层二硫化钼
英文名称：Mechanical exfoliation MoS2 on sapphire substrate
性质
形态：薄膜
参数
基底：蓝宝石基底尺寸：10 mmx10 mm
MOS2面积: ＞10 µm2
应用
先丰纳米**推出机械剥离制备的二硫化钼，相比较锂插层制备的单层类石墨烯材料，该类材料具有缺陷少，优异的光学性质，可以研究层数和荧光效应，此外，由于保持了原有晶格结构，所以该类材料是制备器件的理想材料。
江苏先丰纳米材料科技有限公司
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