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铌酸锂（ＬＮ）晶体具有优良的压电、电光、声光、非线性等性能。在民用领域有着广泛的用途，随着光电技术的发展， ＬＮ晶体还是较好的压电晶体，能用于制作中低频SAW滤波器，大功率耐高温的超声换能器等。
| 项目 | 名 称 | 规 格 |
| 1 | 铌酸锂基片和晶体 | Φ2″Y轴Z轴X轴 |
| 2 | 铌酸锂基片和晶体 | Φ2″64°Y-X |
| 3 | 铌酸锂基片和晶体 | Φ2″128°Y-X |
| 4 | 铌酸锂基片和晶体 | Φ3″Y轴Z轴 |
| 5 | 铌酸锂基片和晶体 | Φ3″64°Y-X |
| 6 | 铌酸锂基片和晶体 | Φ3″128°Y-X |
| 7 | 铌酸锂基片和晶体 | Φ4″Y轴Z轴 |
| 8 | 铌酸锂基片和晶体 | Φ4″64°Y-X |
| 9 | 铌酸锂基片和晶体 | Φ4″128°Y-X |
基本性质（Basic Properties）
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晶体结构 Crystal Structure |
Trigonal, point group3m |
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晶格常数 Lattice Parameters |
a=5.148, c=13.863 |
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密度 Density |
4.64g/cm3 |
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熔点 Melting Point |
1250℃ |
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居里温度 Curie Point |
1142±2℃ |
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硬度 Mohs Hardness |
5 |
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介电常数 Dielectric Constant |
ε11/ε0=85; ε33/ε0=29.5 |
电阻系数Thermal Conductivity |
38W/m/℃at25℃ |
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热膨胀系数 Thermal Expansion Coefficient |
a1=a2=2×10-6/℃, a3=2.2×10-6/℃at25℃ |
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压电常数 Piezoelectric Strain Constant |
d22=2.04×10-11C/N,d33=0.6×10-11C/N,d15=7X10-11C/N，d31=-0.1X10-11C/N |
Elastic Stiffness Constant |
C11E=2.04×1011N/m2,C33E=2.46×1011N/m2, |
声表面波级铌酸锂晶片（SAW Grade LiNbO3Wafer）
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轴向 Orientation |
64°rot.Y-cut ± 0.2° |
127.86°rot.Y-cut ± 0.2° |
Y-cut ± 0.2° |
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直径 Diameter |
76.2mm±0.3mm 100.0mm±0.3mm |
76.2mm±0.3mm 100.0mm±0.3mm |
76.2mm±0.3mm 100.0mm±0.3mm |
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基准面 Orientation Flat (OF) |
22mm±2mm 22mm±2mm Perpendicular to X ± 0.2° |
22mm±2mm 22mm±2mm Perpendicular to X ± 0.2° |
22mm±2mm 22mm±2mm Perpendicular to X ± 0.2° |
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第二参考面 Second Refer. Flat (RF) |
10mm±3mm Cw180° ± 0.5° from OF |
10mm±3mm Cw225° ± 0.5° from OF |
10mm±3mm Cw270° ± 0.5° from OF |
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厚度 Thickness |
500um ± 20um 350um ± 20um |
500um ± 20um 350um ± 20um |
500um ± 20um 350um ± 20um |
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传播表面 Propagating surface |
“+” side Ra ≤ 8 |
“+” side Ra ≤ 8 |
“+” side Ra ≤ 8 |
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晶片背面 Wafer backside |
GC#1000lapped & etched 0.2um≤Ra≤0.7um |
GC#1000lapped & etched 0.2um≤Ra≤0.7um |
GC#1000lapped & etched 0.2um≤Ra≤0.7um |
TTV |
≤ 10um |
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LTV |
≤ 2.0um within an area of5×5mm2 |
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PLTV |
≥ 95% (3mmfrom edge excluded) |
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BOW |
-25um ≤ Bow ≤ +25um |
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居里温度 Curie Temperature |
1142℃±3℃(DTA method) |
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边缘倒角Edge Beveling |
Edge rounding |
||
