直径

50.8mm

76.2mm

100mm

150mm

200mm

300mm

厚度

400μm

400μm

500μm

625 μm

725μm

775μm

表面晶向

<100>   ∣   <111>    ∣    <110>

掺杂类型

N-type(Si-doping/As-doping/Sb-doping)

P-type(B-Doping)

Intrinsic

定位边长度

16mm

22mm

32mm

47.5mm

Notch

Notch

正面状态

Epi-polished,Ra<0.5nm

反面状态

SSP:Etch; DSP:Epi-polished,Ra<0.5nm

氧化类型

单面氧化  ∣  双面氧化

氧化层厚度

50nm

100nm

300nm

500nm

1000nm

2000nm

总厚度偏差TTV

≤8μm

≤10μm

≤10μm

≤20μm

≤30μm

≤30μm

弯曲度BOW

≤10μm

≤12μm

≤15μm

≤25μm

≤40μm

≤45μm

翘曲度WARP

≤12μm

≤15μm

≤20μm

≤30μm

≤60μm

≤60μm

边缘去除

≤2 mm

≤3 mm

晶体结构

金刚石立方晶体

禁带宽度(eV)

1.12eV

熔点（℃）

1414℃

莫氏硬度(mohs)

7

热导率(W·cm^-1·℃^-1)

1.5W·cm^-1·℃^-1

热膨胀系数(℃^-1)

2.5×10^-6

晶格常数(nm)

a=0.5431

电子迁移率（cm^-2·V^-1·s^-1）

1350

击穿电场(MV·cm^-1)

0.3

JFM指数（power）

1

BFM指数(SW)

1

BHFM指数(RF)

1

折射率

3.5