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介绍：硅基氮化镓（GaN-on-Si）外延是在硅衬底上生长氮化镓薄膜的技术，结合了GaN的高性能和硅衬底的低成本优势。
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应用：用于高效电源转换器、电动汽车和工业电机驱动的功率电子器件；适用于5G基站、雷达和卫星通信等射频器件；用于高亮度LED，提升发光效率等。
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硅基氮化镓外延衬底Tempalte（2~8inch） | ||||
衬底直径 |
50.8mm |
100mm |
150mm |
200mm |
硅衬底厚度 |
1000μm |
1000μm |
1000μm |
1150μm |
硅衬底表面 |
Polished/Etched |
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硅衬底晶向 |
P(111) |
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外延导电类型 |
N-type |
P-type |
UID |
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外延掺杂元素 |
Si-doping |
Mg-doping |
Undoped |
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外延层厚度 |
＜5 um |
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外延层厚度均匀性 |
≤5% |
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外延层表面 |
RMS＜2nm |
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外延结构图 |
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江阴晶沐光电新材料有限公司
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