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介绍：碳化硅衬底是第三代半导体材料，属于宽禁带半导体材料。碳化硅是由C和Si元素按1：1比例形成的Ⅳ-Ⅳ族化合物半导体材料，硬度仅次于金刚石。它具有高硬度、高热导率、高击穿电场等优异特性。
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应用：激光剥离测试材料，半导体芯片材料的分析与测试，高端光学领域。
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碳化硅晶棒及特殊尺寸规格 | |||
型号 |
4H-N导电型 ∣ 4H-HPSI高纯半绝缘型 |
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类型 |
晶锭与晶棒 |
晶片 |
异形规格 |
尺寸规格案例1 |
4英寸*T10mm晶棒 |
2英寸*T3.0mm厚片 |
碳化硅圆环方块 |
尺寸规格案例2 |
6英寸*T20mm晶棒 |
2英寸*T0.1mm超薄 |
碳化硅眼镜光学镜片 |
尺寸规格案例3 |
8英寸*T20mm晶棒 |
3英寸*T5.0mm厚片 |
碳化硅打孔 |
尺寸规格案例4 |
2~8寸晶锭 |
6英寸*T1.0mm厚片 |
碳化硅激光切割 |
尺寸规格案例5 |
晶棒抛光 |
直径159*T0.725mm载片 |
碳化硅雕刻 |
表面状态 |
切割 |
研磨 |
抛光 |
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碳化硅单晶 Silicon carbide | |
晶体结构 |
六方晶体 |
禁带宽度(eV) |
3.26eV |
熔点（℃） |
2730℃ |
莫氏硬度(mohs) |
9.2 |
热导率(W·cm-1·℃-1) |
4.9W·cm-1·℃-1 |
热膨胀系数(℃-1) |
4.7×10-6 |
晶格常数(nm) |
a=0.3076 c=0.5048 |
电子迁移率（cm-2·V-1·s-1） |
720a 650c |
击穿电场(MV·cm-1) |
3.1 |
JFM指数（power） |
410 |
BFM指数(SW) |
290 |
BHFM指数(RF) |
34 |
折射率 |
2.6767～2.6480 |
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江阴晶沐光电新材料有限公司
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